Luận án Xử lý tín hiệu ghép kênh phân chia theo mode dựa trên các mạch tích hợp quang tử

Một trong những giải pháp hiệu quả để nâng cao dung lượng của liên kết quang là sử
dụng các công nghệ ghép kênh tiên tiến, như ghép kênh phân chia theo bước sóng (DWDM
hoặc CWDM), ghép kênh phân chia theo phân cực (PDM), và ghép kênh phân chia theo
không gian (SDM) v.v.v.
Công nghệ ghép kênh phân chia theo bước sóng mật độ cao (Dense Wavelength Division
Multiplexing - DWDM) được ứng dụng trong các mạng quang đường dài. Công nghệ này
có khả năng ghép hàng chục kênh tín hiệu trên các sóng mang quang với khoảng cách hẹp
trên cùng một sợi quang đơn mode. Xu hướng của công nghệ tiên tiến này là phát triển
đến các trung tâm dữ liệu lớn [9]. Tuy nhiên, trong hệ thống DWDM, các bước sóng được
phát ra từ các nguồn laser phải được căn chỉnh và giữ ổn định chính xác thông qua quá
trình kiểm soát nhiệt độ một cách rất công phu. Do đó, việc quản lý điều chỉnh bước sóng,
chuyển đổi, định tuyến và chuyển mạch trong hệ thống DWDM trở nên phức tạp, tốn kém
và tiêu thụ rất nhiều điện năng. Điều này có thể chấp nhận được đối với mạng quang
đường dài, tuy nhiên đối với mạng quang trên chip là khó chấp nhận được, đặc biệt trên
một chip kích thước nhỏ nhưng tồn tại quá nhiều nguồn phát và nhiều trình điều khiển
laser ở trên đó. Một lựa chọn tối ưu hơn cho các liên kết quang trên cùng một chip hoặc
giữa các chip là sử dụng công nghệ ghép kênh theo bước sóng thô (Coarse Wavelength
Division Multiplexing - CWDM). Công nghệ này cũng sử dụng phương thức ghép kênh
theo bước sóng, tuy nhiên khoảng cách giữa các bước sóng lớn và số lượng kênh ghép ít
hơn, điều này giảm yêu cầu khắc khe về độ chính xác trong các điều kiện căn chỉnh bước
sóng và độ phức tạp trong các trình điều khiển laser 
pdf 157 trang phubao 26/12/2022 2640
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Luận án Xử lý tín hiệu ghép kênh phân chia theo mode dựa trên các mạch tích hợp quang tử", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên.

File đính kèm:

  • pdfluan_an_xu_ly_tin_hieu_ghep_kenh_phan_chia_theo_mode_dua_tre.pdf
  • pdf0. Phu luc bia luan an.pdf
  • pdf2. Tom tat Tieng Viet.pdf
  • pdf3. Tom tat Tieng Anh.pdf
  • pdf4. Thong tin dong gop moi_Tieng Viet.pdf
  • pdf5. Thong tin dong gop moi_Tieng Anh.pdf
  • pdf6. Trich yeu luan an_Tieng Viet.pdf
  • pdf7. Trich yeu luan an_Tieng Anh.pdf
  • pdf1063_QD to chuc thi danh gia luan an tien si ơ don vi chuyen mon.PDF

Nội dung text: Luận án Xử lý tín hiệu ghép kênh phân chia theo mode dựa trên các mạch tích hợp quang tử

  1. PHỤ LỤC Hình 5.8 Cấp độ kiểm tra thứ nhất nhất dựa vào quy tắc thiết kế DRC. mạch quang tử trước đây tách rời với quá trình mô phỏng mạch nên bước này được đánh giá là quan trọng đối với người thiết kế. Họ phải đảm bảo rằng các thành phần chính xác ứng với các thông số đã đề ra, các kết nối đúng cách, các cổng vào ra có đặt đúng hướng không và ràng buộc độ dài các ống dẫn sóng có khả thi không? Đây là một trong những khía cạnh dễ xảy ra lỗi nhất trong các quy trình thiết kế ngày nay và phải được đảm bảo bởi tính kỷ luật tốt trong quản lý dữ liệu, đồng thời phải được đánh giá ngang hàng các thiết kế. Tiến trình thông thường trong ba bước này là thiết kế layout xong sẽ được chuyển sang bước tiếp theo là kiểm tra quy luật thiết kế, và cuối cùng là xác nhận thiết kế (theo thứ tự trong tiến trình bước 4, bước 5 và bước 6). Tuy nhiên, nếu tại bước 5 (kiểm tra quy luật thiết kế) bị lỗi thì người thiết kế phải quay ngược trở lại bước 4 (thiết kế layout) để xem xét lại vấn đề. Và cũng vậy, tại bước 6 (xác nhận chức năng thiết kế) nếu phát hiện ra lỗi thì người thiết kế cũng phải quay ngược trở lại bước 4 hay thậm chí quay ngược lại bước thứ 2 (thể hiện thiết kế) để đánh giá và kiểm tra lại các sơ đồ mạch và các thông số 112
  2. PHỤ LỤC Hình 5.10 Mối quan hệ giữa thiết kế layout và kiểm tra thiết kế. Các ống dẫn sóng quang tử silicon thường được thiết kế dựa trên hai cấu trúc thông dụng nhất, đó là cấu trúc ống dẫn sóng dạng kênh (channel waveguide) và cấu trúc dạng sóng dạng sườn (rib waveguide). Cả hai cấu trúc này đều được xây dựng trên một tấm đế silicon (silicon substrate) rộng khoảng 200 mm, với độ dày khoảng 700 µm. Phía trên tấm đế silicon lần lượt là các lớp oxit (SiO2) dày 2 µm, lớp silicon với độ cao được chuẩn hóa công nghiệp là 220 nm (đây chính là dạng hình học của thiết kế được thể hiện) và trên cùng là lớp vỏ. Ở đây lớp vỏ có thể là không khí hoặc lớp oxit (SiO2). Tùy thuộc vào các ứng dụng cụ thể và phụ thuộc vào công nghệ chế tạo ở các phòng thí nghiệm mà quá trình chế tạo có sự khác nhau. Tuy nhiên để chế tạo ra một chip quang tử thì có những công đoạn bắt buộc và giống nhau ở các phòng thí nghiệm. Tôi sẽ trình bày một quá trình chế tạo mạch quang tử trong phòng thí nghiệm dựa trên công nghệ quang khắc sử dụng khắc UV sâu và khắc khô. Để chế tạo được các chip quang tử với chất lượng tốt thì các quá trình phải được xử lý trong phòng sạch. Tại đây, tất cả các thông số môi trường cần phải được xử lý với các tiêu chuẩn khác khe nhất, các thông số quan trọng cần chú ý như độ ẩm, nhiệt độ và độ lưu thông khí để đảm bảo số hạt bụi có trong một đơn vị thể tích là nhỏ hơn rất nhiều so với môi trường bình thường. Mức độ sạch của phòng sạch được quy định theo các tiêu 114
  3. PHỤ LỤC cùng để giảm sự phản xạ ánh sáng khi chiếu tia UV vào lớp mặt nạ. Tiếp tục là quá trình chiếu sáng vào chất cản quang theo hình ảnh mặt nạ được thiết kế ở bước layout. Mặt nạ thường là một tấm thủy tinh hữu cơ được phủ một màng crôm trên đó khắc họa những chi tiết phù hợp với thiết kế. Sau bước khắc mặt nạ là bước xử lý PEB, tức là tiếp tục nung lần thứ hai để làm cho chất cản quang có thể hòa tan trong các khu vực tiếp xúc. Bước sau nữa là bước phát triển (development), ở bước này dùng dung dịch để hiện ra cấu trúc in trên lớp cản quang. Chuẩn bị cho quá trình quan trọng là khắc (etching) hình ảnh đã được in trên lớp cản quang lên lớp silicon ở dưới, người ta thường thực hiện một quá trình làm cứng bề mặt chất cản quang, mục đích của quá trình này là giúp định hình tốt cấu trúc lớp cản quang. Hình 5.13 Ống dẫn sóng tinh thể quang tử được chế tạo bằng kỹ thuật khắc UV sâu và khắc khô. (a) khắc sâu xuống lớp ôxít, (b) khắc ở lớp trên Silicon. Có hai kỹ thuật khắc được sử dụng trong công nghệ chế tạo là kỹ thuật khắc ướt (wet etch) và khắc khô (dry etch). Khắc ướt là quá trình loại bỏ vật liệu sử dụng hóa chất lỏng hoặc chất ăn mòn, còn khắc khô là sự bắn phá của các ion làm bật các phần của vật liệu ra khỏi bề mặt tiếp xúc. Khắc khô hiện đang được sử dụng rộng rãi trong các quy trình chế tạo mạch tích hợp quang tử do khả năng vượt trội so với khắc ướt ở đặc điểm khắc dị hướng với cấu trúc có tỷ lệ khung hình cao. Tùy yêu cầu mà có thể chọn chỉ khắc lớp silicon trên cùng (5.13(a)) hay khắc sâu xuống lớp oxit bên dưới (5.13(b)). Đối với ống dẫn sóng quang tử kích thước nano, việc khắc xuống lớp oxit sẽ tốt hơn, vì nó làm tăng độ tương phản chỉ số ở cả hai chiều ngang và dọc. Trường hợp chỉ khắc lớp silicon trên 116
  4. PHỤ LỤC từ một laser có thể điều chỉnh bước sóng trong khoảng cần đo, thông thường nằm trong khoảng từ 1450 nm đến 1640 nm, ghép chuyển tiếp từ sợi quang đơn mode vào một taper và từ taper vào cấu trúc cần đo. Ở phía thu bố trí ngược lại quá trình chuyển tiếp ánh sáng như bên phát, có nghĩa là ánh sáng ở ngõ ra của cấu trúc cần đo đi ra taper, và từ taper chuyển sang sợi quang đơn mode, từ sợi quang này sẽ đưa ánh sáng vào bộ thu có độ nhạy tốt và hiển thị thông tin lên màn hình. Hình 5.15 Mối quan hệ giữa bước đo và kiểm thử với các bước khác trong dòng thiết kế. Do các ống dẫn sóng quang tử silicon có kích thước lõi nhỏ nên việc ghép nối các ống dẫn sóng này đến sợi quang và theo chiều ngược lại là không hề đơn giản. Trước đây việc ghép nối này là sử dụng các taper đoạn nhiệt [130], tuy nhiên, các cấu trúc đoạn nhiệt này yêu cầu độ dài chuyển tiếp dài, dẫn đến dấu in trên chip lớn. Vì vậy, đây là điều thật sự không hữu ích đối với các mạch tích hợp cấu trúc nhỏ. Để cải tiến sự cồng kềnh này, hai loại ghép nối khác được thiết kế để chuyển tiếp ánh sáng từ sợi quang vào thành phần cần đo và từ thành phần cần đo đến sợi quang của máy thu, đó là bộ ghép nối dựa trên cách tử sợi quang và bộ chuyển đổi kích thước điểm nhỏ gọn. Đối với mạch tích hợp đơn giản thì việc đo chi tiết các thông số là khá dễ dàng, thiết lập phép đo như được mô tả ở trên, nhưng với các mạch tích hợp cỡ lớn thì thường sử 118
  5. Tài liệu tham khảo [1] V. E. Benes, "Algebraic and topological properties of connecting networks," Bell Labs Tech. J. 41, 1249–1274 (1962). [2] R. A. Spanke and V. E. Benes, "N-stage planar optical permutation network," Appl. Opt. 26, 1226–1229 (1987). [3] N. Sherwood-Droz, "Optical 4x4 hitless silicon router for optical networks-on-chip (NoC)," Opt. Express 16, 15915-15922 (2008). [4] M. Yang, "Non-blocking 4x4 electro-optic silicon switch for on-chip photonic networks," Opt. Express 19, 47–54 (2011). [5] R. Ji, L. Yang, L. Zhang, Y. Tian, J. Ding, H. Chen, Y. Lu, P. Zhou, and W. Zhu, "Five-port optical router for photonic networks-on-chip," Opt. Express 19, 20258–20268 (2011). [6] R. Ji, J. Xu, and L. Yang, "Five-port optical router based on microring switches for photonic networks-on-chip," IEEE Photonics Technol. Lett. 25, 492–495 (2013). [7] K. Tanizawa, "Ultra-compact 32x32 strictly-non-blocking Si-wire optical switch with fan-out LGA interposer," Opt. Express 23, 17599-17606 (2015). [8] L. Yang, T. Zhou, H. Jia, S. Yang, J. Ding, X. Fu, and L. Zhang, "General architectures for on-chip optical space and mode switching," Optica 5, 180-187 (2018). [9] K. Santosh, Z. Maruca, S. Huang, Y. Ping. "Mode-selective Image Upconversion" (2018). [10] G. Labroille, B. Denolle, P. Jian, P. Genevaux, N. Treps, and J. Morizur, "Efficient and mode selective spatial mode multiplexer based on multi-plane light conversion,"Opt. Express 22, 15599-15607 (2014). 120
  6. TÀI LIỆU THAM KHẢO [22] T. Hu, H. Qiu, P. Yu, et al. "Wavelength-selective 4x4 nonblocking silicon optical router for networks-on-chip". Opt Lett ; 36:4710–2 (2011). [23] X. Tan, M. Yang, L. Zhang, et al. "A generic optical router design for photonic network-on-chips". J Lightwave Technol; 30:368–76 (2012). [24] T. Hu, H. Shao, L. Yang, et al. "Four-port silicon multi-wavelength optical router for photonic networks-on-chip". IEEE Photon Technol Lett; 25:2281–4 (2013). [25] L. QQ, Z. CT, H XL, et al. "Polymeric N-stage serialcascaded four-port optical router with scalable 3N channel wavelengths for wideband signal routing application". Opt Quant Electron; 46:829–49 (2014). [26] Jens Buus, Markus-Christian Amann, and Daniel J. Blumenthal, "Tunable Laser Diodes and Related Optical Sources", 2nd Edn. John Wiley and Sons, Inc., cit. on pp. 119, 120 (2005). [27] K. Ishii, T. Inoue, I. Kim, X. Wang, and H. N. Tan, "Analysis and Demonstration of Network Utilization Improvement Through Wavelength Converters,” vol. 10, no. 2, pp. 165–174, (2018). [28] S. Petale, "Optimal of Wavelength Converter Deployment in WDM Optical Networks,” no. Icmap, pp. 4–5, (2018). [29] H. N. Tan, T. Inoue, J. Kurumida, and S. Namiki, "Cascaded operation of wavelength converter for dual - polarization phase - modulated signal,” no. July, pp. 557–559, (2014). [30] P. C. Shruthi and I. T. S. Ieee, "Wavelength Converter in Optical WDM Networks using Evolutionary Algorithm,” pp. 1–5, (2015). [31] P. Sillard, M. Bigot-Astruc, and D. Molin, "Few-mode fibers for modedivision multi- plexed systems,” J. Lightw. Technol., vol. 32, no. 16, pp. 2824–2829, Aug. 15, (2014). [32] T. Mori, T. Sakamoto, M. Wada, T. Yamamoto, and F. Yamamoto, "Fewmode fibers supporting more than two LP modes for modedivisionmultiplexed transmission with MIMO DSP," J. Lightw. Technol., vol. 32, no. 14, pp. 2468–2479, Jul. 15, (2014). 122
  7. TÀI LIỆU THAM KHẢO [42] M. Ye, Y. Yu, C. Sun, and X. Zhang, "On-chip data exchange for mode division multiplexed signals", Optics Express, vol. 24, no. 1, 11 Jan (2016). [43] X. Hu, and J. Wang Z. Zhang, "On-chip optical mode exchange using tapered direc- tional coupler," Nat. Sci. Reports, vol. 5, pp. 1-8 (2015). [44] D. Dai, Y. Tang, and J. E. Bowers, "Mode conversion in tapered submicron silicon ridge optical waveguides", Optics Express, Vol. 20, No. 12, 4 June (2012). [45] J. Wang, Y. Xuan, M. Qi, H. Huang, Y. Li, M. Li, X. Chen, Z. Sheng, A. Wu, W. Li, X. Wang, S. Zou, and F. Gan, "Broadband and fabricationtolerant on-chip scalable mode-division multiplexing based on modeevolution counter-tapered couplers," Opt. Lett. 40(9), 1956–1959 (2015). [46] D. Chen, X. Xiao, L. Wang, Y. Yu, W. Liu, and Q. Yang, "Low-loss and fabrication tolerant silicon mode-order converters based on novel compact tapers," Opt. Express 23(9), 11152–11159, (2015). [47] J. R. Ong, T. Y. L. Ang, G. Alagappan, C. H. Son, S. T. Lim, C. E. Png, "Sili- con nitride double-tip fiber-towaveguide edge couplers at visible wavelengths", 2017 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR), page 1–3, (2017). [48] Y. Chaen, R. Tanaka, and K. Hamamoto, "Optical mode converter using multi-mode interference structure," in Proc.MOC, Tokyo, Japan, Oct. , pp. 1–2 (2013). [49] E. C. M. Pennings, "Multimode interference couplers for the conversion and combining of zero- and first-order modes," J. Lightwave Technol., vol. 16, no. 7, pp. 1228–1239, Jul. (1998). [50] D. Zhang, "A wavelength-insensitive 2nd-order mode generator with multimode in- terference waveguides and a phase shifter," in Proc. IEEE Opto Electron. Commun. Conf. 20, IEEE Techn. Dig. (Online), Paper Pwe.16 (2015). [51] J. Qiu, D. Zhang, Y. Tian, J. Wu, Y. Li, Y. Wang, "Performance Analysis of a Broadband Second-Order Mode Converter Based on Multimode Interference Coupler and Phase Shifter", Volume 7, Number 5, October (2015). 124
  8. TÀI LIỆU THAM KHẢO [63] A. Narasimha, B. Analui, Y. Liang. "A fully integrated 4x10 Gb/s DWDM optoelec- tronic transceiver in a standard 0.13/spl mu/m". CMOS SOI, Solid-State Circuits Con- ference, ISSCC 2007. Digest of Technical Papers. IEEE International. IEEE, 2007:42- 586 (2007). [64] W. Bogaerts, S. Selvaraja, P. Dumon, "Silicon-on-insulator spectral filters fabricated with CMOS technology". IEEE J Sel Top Quantum Electron; 16:33–44 (2010). [65] M. Streshinsky, R. Ding, Y. Liu. "The road to affordable, large-scale silicon photonics". Opt Photonics News; 24: 32–9 (2013). [66] A. Yariv. "Coupled-mode theory for guided-wave optics". IEEE Journal of Quantum Electronics 9.9 , pp. 919-933, cit. on pp. 92, 108 (1973). [67] A. Yariv and P. Yeh. Photonics: "Optical Electronics in Modern Communications" (The Oxford Series in Electrical and Computer Engineering). Oxford University Press, Inc., cit. on p. 92 (2006). [68] N. S. Kapany and J. J. Burke, Optical Waveguides. New York: Academic, (1972). [69] L. B. Soldano and E. C. M. Pennings, "Optical multi-mode interference devices based on self-imaging: principles and applications," in Journal of Lightwave Technology, vol. 13, no. 4, pp. 615-627, April (1995). [70] N. Sherwood-Droz et al., "Optical 4Ö 4 hitless silicon router for optical networks on-chip (NoC)," Optics express, vol. 16, no. 20, pp. 15915-15922, (2008). [71] C. Rizal and B. Niraula, "Compact Si-based asymmetric MZI waveguide on SOI as a thermooptical switch," Optics Communications, vol. 410, pp. 947-955, (2018). [72] M. Lipson, "Compact electro-optic modulators on a silicon chip," IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 12, no. 6, pp. 1520-1526, (2006). [73] T. Chu, H. Yamada, S. Ishida, and Y. Arakawa, "Compact 1Ö N thermo-optic switches based on silicon photonic wire waveguides," Optics Express, vol. 13, no. 25, pp. 10109- 10114, (2005). 126
  9. TÀI LIỆU THAM KHẢO [84] K. Igarashi, D. Soma, Y. Wakayama, K. Takeshima, Y. Kawaguchi, N. Yoshikane, T. Tsuritani, I. Morita, and M. Suzuki, "Ultra-dense spatialdivision-multiplexed optical fiber transmission over 6-mode 19-core fibers." Opt. Express 24, 10213-10231 (2016). [85] H. D. T. Linh, T. C. Dung, K. Tanizawa, D. D. Thang, and N. T. Hung, "Arbitrary Arbitrary TE0/TE1/TE2/TE3 Mode Converter Using 1x4 Y-Junction and 4x4 MMI Couplers," in IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, vol. 26, no. 2, pp. 1-8, March-April, Art no. 8300708 (2020). [86] M. P. B. Soldano, "Optical multi-mode interference devices based on self-imaging: principles and applications," J. Light. Technol., vol. 13, no. 4, p. 615, (1995). [87] M. Bachmann, P. A. Besse, and H. Melchior, "General self imaging properties in NxN multimode interference couplers including phase relations," Appl. Opt., vol. 33, no. 18, pp. 3905–3911, (1994). [88] X. Zi, L. Wang, K. Chen, and K. S. Chiang, "Mode-Selective Switch Based on Thermo- Optic Asymmetric Directional Coupler," IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 30, no. 7, pp. 618–621, (2018). [89] Q. Huang, K. S. Chiang, and W. Jin, "Thermo-optically controlled vertical waveguide directional couplers for mode-selective switching," IEEE Photonics J., vol. 10, no. 6, pp. 1–14, (2018). [90] M. P. B. Soldano, "Optical Multi-Mode Interference Devices Based on Self-Imaging: Principles and Applications," J. Light. Technol., vol. 13, no. 4, p. 615, (1995). [91] L. B. Soldano et al., "High-performance monomode planar couplers using a short multi-mode interference section," Proc. Eur. Conf. Opt. Commun., pp. 225–228, (1991). [92] L. B. Soldano, F. B. Veerman, M. K. Smit, B. H. Verbeek, and and E. C. M. Pennings, "Multimode interference couplers," Proc. Integr. Phot. Res., p. 13, (1991). [93] L. H. Spiekman, E. G. Metaal, F. H. Groen, and I. Moerman, "Extremely Small Multimode Interference Couplers and Ultrashort Bends on InP by Deep Etching," IEEE Photonics Technol. Lett., vol. 6, no. 8, pp. 1008–1010, (1994). 128
  10. TÀI LIỆU THAM KHẢO [103] A. F. Tunc, C. Ulker, A. M. Mungan, O. Ceylan, and H. B. Yagci, "Triplexer design with hairpin structure," 2011 19th Telecommun. Forum, TELFOR 2011 - Proc. Pap., pp. 988-991, (2011). [104] Y. Shi, D. Dai, and S. He, "Novel ultra-compact triplexer based on photonic crystal waveguides," IEEE Photonics Technology Letters, vol. 18, no. 21. pp. 2293-2295, (2006). [105] Y. Shi, S. Anand, and S. He, "Design of a polarization insensitive triplexer using directional couplers based on submicron silicon rib waveguides," J. Light. Technol., vol. 27, no. 11, pp. 1443-1447, (2009). [106] R. G. H. Van Uden et al., "Ultra-high-density spatial division multiplexing with a few-mode multicore fibre," Nat. Photonics, vol. 8, no. 11, pp. 865 – 870, (2014). [107] K. Igarashi et al., "Ultra-dense spatial-division-multiplexed optical fiber transmission over 6-mode 19-core fibers," Opt. Express, vol. 24, no. 10, p. 10213, (2016). [108] J. van Weerdenburg et al., "10 Spatial mode transmission using low differential mode delay 6-LP fiber using all-fiber photonic lanterns," Opt. Express, vol. 23, no. 19, p. 24759, (2015). [109] H. Chen, R. van Uden, C. Okonkwo, and T. Koonen, "Compact spatial multiplexers for mode division multiplexing," Opt. Express, vol. 22, no. 26, p. 31582, (2014). [110] Y. Ding, J. Xu, F. Da Ros, B. Huang, H. Ou, and C. Peucheret, "On-chip two-mode division multiplexing using tapered directional coupler-based mode multiplexer and demultiplexer," Opt. Express, vol. 21, no. 8, p. 10376, (2013). [111] T. Mulugeta and M. Rasras, "Silicon hybrid (de)multiplexer enabling simultane- ous mode and wavelength-division multiplexing," Opt. Express, vol. 23, no. 2, p. 943, (2015). [112] Y. Yu, J. Yu, Z. Li, X. Xiao, and J. Xing, "Two-mode multiplexer and demultiplexer based on adiabatic couplers," Opt. Lett., vol. 38, no. 17, p. 3468, (2013). [113] S. Berdague and P. Facq, "Mode division multiplexing in optical fibers," Appl. Opt., vol. 21, no. 11, p. 1950, (2009). 130
  11. TÀI LIỆU THAM KHẢO [125] D. F. Gallagher, T. P. Felici, "Integrated Optoelectronics Devices", pp. 69-82 (2003). [126] J. M. Jin, "The Finite Element Method in Electromagnetics", John Wiley and Sons (2015). [127] W. Huang, C. Xu, S. Chu and S. K. Chaudhuri, "The finite-difference vector beam propagation method: analysis and assessment," in Journal of Lightwave Technology, vol. 10, no. 3, pp. 295-305, March (1992). [128] S. K. Selvaraja, W. Bogaerts, P. Dumon, D. Van Thourhout and R. Baets, "Sub- nanometer Linewidth Uniformity in Silicon Nanophotonic Waveguide Devices Using CMOS Fabrication Technology," in IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Elec- tronics, vol. 16, no. 1, pp. 316-324, Jan.-Feb. (2010). [129] S. K. Selvaraja, K. De Vos, W. Bogaerts, P. Bienstman, D. Van Thourhout and R. Baets, "Effect of device density on the uniformity of silicon nano-photonic waveg- uide devices," 2009 IEEE LEOS Annual Meeting Conference Proceedings, pp. 311-312 (2009). [130] W. Bogaerts, M. Fiers, M. Sivilotti, P. Dumon, in Optical Fiber Communication Conference, Optical Society of America, Anaheim, CA, USA, p. W1E.1 (2016). [131] L. Chrostowski, J. Flueckiger, C. Lin, M. Hochberg, J. Pond, J. Klein, J. Ferguson, C. Cone, Design methodologies for silicon photonic integrated circuits, pp. 89890G- 89890G-15 (2014). [132] L. Chrostowski, Z. Lu, J. Flueckiger, X. Wang, J. Klein, A. Liu, J. Jhoja, J. Pond, SPIE Photonics Europe, 989114 (2016). [133] L. Alloatti, M. Wade, V. Stojanovic, M. Popovic, R. Ram, IET Optoelectronics, 9, 163 (2015). [134] M. Heins and et., "Design Flow Automation for Silicon Photonics: Challenges, Col- laboration, and Standardization", (Eds: L. Pavesi, D. Lockwood), Springer Berlin Hei- delberg, Berlin, Heidelberg, pp. 99– 156 (2016). [135] Phoenix Software BV, Photonic design automation software, 132
  12. TÀI LIỆU THAM KHẢO [148] P. Zhang, et, "Tunable multiwavelength Tm-doped fiber laser based on the multi- mode interference effect," Appl. Opt. 54, 4667-4671 (2015). 134
  13. DANH SÁCH CÔNG TRÌNH ĐÃ XUẤT BẢN [7].H. D. T. Linh, N. P. Nhat, V. Q. Phuoc, D. D. Tu, "Design a 2x2 compact mode switching using multimode interference based on silicon material", Hue University Journal of Science: Techniques and Technology, Vol. 128, No. 2A, 2019, 17–27; DOI: 10.26459/hueuni-jtt.v128i2A.5332. [8].H. D. T. Linh, N. V. Quang, D. D. Tu, N. Van An and V. Q. Phuoc, "Integrated silicon optical switch for high-speed network-on-chip," 2020 International Conference on Advanced Technologies for Communications (ATC), 2020, pp. 61-64. [9].H. D. T. Linh, D. C. Truong, D. D. Quang, V. D. Phuc and N. T. Hung, "Mode Switch for On-Chip Optical Interconnects using Multimode Interference Couplers," 2019 6th NAFOSTED Conference on Information and Computer Science (NICS), 2019, pp. 98-102, doi: 10.1109/NICS48868.2019.9023889. [10].H. D. T. Linh, V. D. Phuc, N. Q. Viet, N. D. Hien, N. T. Hung. "Optical Mode Cross- Connect Using Multimode Interference MMI Based On Silicon Material." Journal of Science and Technology: Issue on Information and Communications Technology, vol. 20, no. 6.2, 202 (2022): 52-56. [11].H. D. T. Linh, N. T. H. Yen, V. D. Phuc, N. B. Trong, D. Duy. Thang, T. C. Dung, N. T. Hung, "Four-mode triple-band (O, S, and C) multiplexing silicon photonic device", Optics and Laser in Engineering, JOLT-D-22-02206, (submission), 2022. 136